在超深亚微米工艺节点创新方面已合作多年的 Arm 与三星代工厂宣布双方合作之旅的新里程碑：为期待已久的极紫外 (EUV) 光刻技术, 提供首款 7LPP (7nm Low Power Plus) 和 5LPE (5nm Low Power Early) 库面市。这是 Arm 与三星代工厂 12 年成功合作旅程的最新成果，双方从 65nm 工艺开始不断推出新技术和产品库。利用 Arm 独特的 IP 集成能力，三星代工厂可使用 Arm 物理和处理器 IP 验证其最顶级节点的设计就绪状态。
三星代工厂的 EUV 特性和优点
EUV 是芯片设计的重要变革。它可降低 7nm 设计实施的复杂性。制造商可将三个或四个光刻层变为一个光刻层，并将多个图层变成单个图层，从而大大缩短处理周期时间，缩小芯片尺寸。此外，由于采用比多色图层更严格的设计规则，EUV 还可实现更紧凑的布局。
三星代工厂最新的 7LPP EUV 制造工艺采用高能 EUV 光源生产具有超精细设备特性的芯片，临界尺寸只有 7nm。作为对比，常见的病毒细胞为 10nm 宽，微观 DNA 链的宽度约为 2.5nm，而一个硅原子的宽度略低于 1nm。
三星电子市场营销副总裁 Ryan Lee 表示：“7LPP 和 5LPE 工艺技术可实现 EUV 光科技术的优势， 同时降低这些先进技术节点的布局复杂性和设计开发时间。通过在开发初期与 Arm 合作，并借助各种设计技术联合优化技巧 ，我们优化了制造和设计流程。针对 7LPP 和 5LPE 的 Arm Artisan IP 基础平台就是建立在这种合作之上的，客户能够提前获取我们针对下一代设计的差异化 EUV 解决方案。”
除了这一先进技术之外，三星最近还推出了 SAFE TM（三星高级代工厂生态系统）计划，以期提供全面的设计解决方案。Arm 是 SAFE TM 计划的战略成员之一，为生态系统和客户提供领先的联合优化物理 IP 解决方案，以期增强下一代 SoC 设计。
基于三星 7LPP 的物理 IP 平台概述
三星代工厂在市场上率先使用 7nm EUV 工艺。由三星代工厂赞助的 Arm Artisan 物理 IP 综合平台将于今年年底开始供货。Arm 正在开发 HD 逻辑架构、全套内存编译器、1.8V 和 3.3V GPIO 库，同时还针对我们的最新处理器内核提供采用 DynamIQ 技术的 POP IP 解决方案。POP IP 是一项核心硬件加速技术，可以實現最佳Arm处理器的生产，在最短的时间内上市。
该平台将于 2018 年下半年可以提供我们的主要客户进行设计。
针对 7LPP 的 Arm Artisan 物理 IP 用于支持低电压运行，以便存储器和位单元能够在低至 0.55V 的电压条件下运行。
基于三星 5LPE 的物理 IP 平台概述
除了 7LPP EUV，三星代工厂还利用 EUV 优势和其他面积优势设计了首款 5LPE。5LPE 节点不仅具有面积优势，还可实现轻松布局，这是最大的 EUV 优势。
除了全套内存编译器和 GPIO 库，Arm 还在开发另一个适用于 5LPE 的 UHD 逻辑架构。我们的平台产品中还将添加其他适用于下一代高级内核的 POP IP 产品，包括对 Arm big.LITTLE 配置的支持。
Arm Artisan IP 供货
Arm 7LPP 物理 IP 平台将从 2018 年第 3 季度开始供货，面向移动、消费、高性能计算和汽车领域的主要客户设计。5LPE 物理 IP 平台产品将于 2019 年年初开始供货。
更多信息，请联系 Arm 物理设计部门或访问 Arm 物理 IP 页面。