Arm 与三星代工厂扩大合作,引领 11LPP FinFET 节点前沿设计

Leah Schuth

在去年的三星代工厂论坛上,Arm 与三星代工厂成功建立 14nm FinFET 合作伙伴关系。当时,基于三星代工厂 14nm 节点技术平台的 Artisan IP 已经大批量生产。三星代工厂让我们有机会讨论 先进工艺技术的市场应用,包括汽车和物联网 (IoT) 领域。同时,三星代工厂也指明了向更小节点发展的方向,利用一些神奇的技术打印极其微小的特性。

一年之后,我们的协作范围继续扩大,步伐不断加快。Arm 与三星代工厂刚刚共同宣布针对 11LPP (11nm Low Power Plus) FinFET 节点的 Artisan 物理IP 计划。尽管三星代工市场的11LPP 扎根于 14nm 节点,但是 基于11LPP平台的 Arm Artisan IP产品更加广泛,适用于更传统的移动和高性能网络,同时覆盖汽车和物联网市场。

三星电子市场营销副总裁 Ryan Lee 表示:“三星代工厂与 Arm 从第一代 14nm FinFET 工艺开始就已开展协作,在消费、基础设施和汽车细分市场取得多次成功。在大量产 14nm 节点的基础上,我们将平台产品扩展至采用 Arm Artisan IP 基础平台的 11LPP 高级工艺。新特性包括可实现超高密度和最高性能的特定细分市场标准单元,以及各种汽车平台和计算机解决方案,借助新特性,客户能够快速将针对不同应用的差异化产品推向市场。”

今年年初,三星代工厂通过 SAFE TM (三星高级代工厂生态系统)计划加强了对代工客户的支持。Arm 是 SAFE TM 计划的战略成员之一,为生态系统和客户提供领先的联合优化physical IP 解决方案,以期增强下一代 SoC 设计。

 

11LPP 特性和优势

11LPP 工艺是 14LPP/LPC (Low Power Cost) 的缩减版。我们认为,11LPP 具有较长的寿命,正因如此,11LPP 工艺适用于更多的细分市场。支持汽车市场以及高端可穿戴产品市场明显扩大了 11LPP 的目标市场范围。

如果客户想要提升工艺节点,但又不想承担与非缩减节点相关的全部成本,11LPP 是继 14nm 节点之后的明智选择。与跳跃至下一个完整节点相比,这一举措使客户能够以更低的成本增强功耗竞争力,提高性能,最佳面积。如果合作伙伴准备采用 FinFET 工艺(非常适合汽车密集设计,具有高性能,通过在低电压条件下运行实现限制功率的能力,对性能影响最低)进行汽车设计,可利用 11LPP 提供汽车 1 级附件和 ASIL-B 支持。

 

基于三星 11LPP 的物理 IP 平台概述

基于三星代工厂 11LPP工艺 的Artisan 基础 IP平台是由代工厂赞助的,较之 14LPP 工艺进行了明显扩展。

逻辑库包括适用于超高密度 (UHD) 架构的全新标准单元架构,同时支持多种高度的设计。此特性非常适合功耗敏感型和/或成本敏感型设计。各种架构中的单元组进行了扩展,以满足不同细分市场的设计需求,并加入了具有优化面积、极低功耗和较高性能的单元。

内存编译器具有许多优化点,配合逻辑库,可实现最佳整体物理 IP 解决方案。编译器输出的实例能够以多种 Vt 外围选项解决功耗问题,使用户能够针对给定尺寸的性能-功耗目标控制编译时间;渐进电源门控模式和读/写辅助方案支持低压,可改善 DVFS 能力。从支持网络,移动,再到物联网各种应用 , Artisan 内存编译器支持利用各种标准、低功耗和良率优化特性来简化 SoC 设计。

补充平台的 11LPP GPIO 库是完全可编程的,专为 1.8V 设计,支持低至 1.2V 的操作。其灵活的配置支持双排内联或双排交错,使用相同的物理设备。

所有上述产品配备符合 AEC-Q100 汽车 1 级设计要求的附加产品。此外,该平台还提供 ASIL-B 支持和完整的汽车安全包。

该平台内置 Arm POP IP,以协助完成最佳的内核实施。POP IP 可最大限度地缩短高级 Arm Cortex-A 系列内核的上市时间,同时利用 Artisan 逻辑库、快速缓存实例和实施实用工具来进一步优化 CPU,加快上市。POP IP 面向基于 Cortex-A75 和 Cortex-A55 的计算系统,包括 Arm DynamIQ。

 

Arm Artisan IP 供货

主要客户现在可以访问适用于 11LPP 工艺的 Arm 物理 IP 平台。

更多信息,请联系 Arm 物理设计部门或访问 Arm 物理 IP 页面。

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