Arm 和三星代工厂携手推进 7nm与先进工艺

在超深亚微米工艺节点创新方面已合作多年的 Arm 与三星代工厂宣布双方合作之旅的新里程碑:为期待已久的极紫外 (EUV) 光刻技术, 提供首款 7LPP (7nm Low Power Plus) 5LPE (5nm Low Power Early) 库面市。这是 Arm 与三星代工厂 12 年成功合作旅程的最新成果,双方从 65nm 工艺开始不断推出新技术和产品库。利用 Arm 独特的 IP 集成能力,三星代工厂可使用 Arm 物理和处理器 IP 验证其最顶级节点的设计就绪状态。 

三星代工厂的 EUV 特性和优点

 

EUV 是芯片设计的重要变革。它可降低 7nm 设计实施的复杂性。制造商可将三个或四个光刻层变为一个光刻层,并将多个图层变成单个图层,从而大大缩短处理周期时间,缩小芯片尺寸。此外,由于采用比多色图层更严格的设计规则,EUV 还可实现更紧凑的布局。

三星代工厂最新的 7LPP EUV 制造工艺采用高能 EUV 光源生产具有超精细设备特性的芯片,临界尺寸只有 7nm。作为对比,常见的病毒细胞为 10nm 宽,微观 DNA 链的宽度约为 2.5nm,而一个硅原子的宽度略低于 1nm

三星电子市场营销副总裁 Ryan Lee 表示:“7LPP 5LPE 工艺技术可实现 EUV 光科技术的优势, 同时降低这些先进技术节点的布局复杂性和设计开发时间。通过在开发初期与 Arm 合作,并借助各种设计技术联合优化技巧 ,我们优化了制造和设计流程。针对 7LPP 5LPE Arm Artisan IP 基础平台就是建立在这种合作之上的,客户能够提前获取我们针对下一代设计的差异化 EUV 解决方案。”

除了这一先进技术之外,三星最近还推出了 SAFE TM(三星高级代工厂生态系统)计划,以期提供全面的设计解决方案。Arm SAFE TM 计划的战略成员之一,为生态系统和客户提供领先的联合优化物理 IP 解决方案,以期增强下一代 SoC 设计。

基于三星 7LPP 的物理 IP 平台概述

三星代工厂在市场上率先使用 7nm EUV 工艺。由三星代工厂赞助的 Arm Artisan 物理 IP 综合平台将于今年年底开始供货。Arm 正在开发 HD 逻辑架构、全套内存编译器、1.8V 3.3V GPIO 库,同时还针对我们的最新处理器内核提供采用 DynamIQ 技术的 POP IP 解决方案。POP IP 是一项核心硬件加速技术,可以實現最佳Arm处理器的生产,在最短的时间内上市。

 

该平台将于 2018 年下半年可以提供我们的主要客户进行设计。

针对 7LPP Arm Artisan 物理 IP 用于支持低电压运行,以便存储器和位单元能够在低至 0.55V 的电压条件下运行。

基于三星 5LPE 的物理 IP 平台概述

除了 7LPP EUV,三星代工厂还利用 EUV 优势和其他面积优势设计了首款 5LPE5LPE 节点不仅具有面积优势,还可实现轻松布局,这是最大的 EUV 优势。

除了全套内存编译器和 GPIO 库,Arm 还在开发另一个适用于 5LPE UHD 逻辑架构。我们的平台产品中还将添加其他适用于下一代高级内核的 POP IP 产品,包括对 Arm big.LITTLE 配置的支持。

Arm Artisan IP 供货

Arm 7LPP 物理 IP 平台将从 2018 年第 3 季度开始供货,面向移动、消费、高性能计算和汽车领域的主要客户设计。5LPE 物理 IP 平台产品将于 2019 年年初开始供货。

更多信息,请联系 Arm 物理设计部门或访问 Arm 物理 IP 页面。

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