推荐个介绍M0和M0+的好文章，不但有技术分析，而且有具体产品介绍，希望对你的设计有所帮助。
http://www.eeboard.com/evaluation/cortex-m0m0/
http://www.eeboard.com/evaluation/momo1/
ARM Cortex-M0
ISA支持
Thumb® / Thumb-2 子集
流水线
3 级
2级
性能效率
1.62 CoreMark/MHz - 0.84 DMIPS/MHz（RVCT 5.0.90 编译器）
1.77 CoreMark/MHz - 0.93 DMIPS/MHz（RVCT 5.0.90 编译器）
内存保护
无
带有子区域和后台区域的可选 8 区域 MPU
中断
不可屏蔽的中断 (NMI) + 1 到 32 个物理中断
睡眠模式
集成的 WFI 和 WFE 指令和“Sleep On Exit”功能睡眠和深度睡眠信号带 ARM 电源管理工具包支持的可选 Retention 模式
位操作
可以使用 Cortex-M 系统设计工具包来实现位段区
增强的指令
硬件单周期 (32x32) 乘法选项
调试
可选 JTAG 和串行线调试端口。最多 4 个断点和 2 个观察点
Trace
可选的 Micro Trace Buffer
功耗
16µW/MHz（90LP 工艺，最低配置）
11.2uW/MHz 的功耗（90LP 工艺，最低配置）
从上面表格的对比中我们可以看到，M0+针对M0的提高主要有3个方面：
§ 流水线的改进：为了进一步降低Cortex-M0的功耗，M0+将流水线改为了2级，相应的我们可以看到性能效率更高了,提升至 1.77 CoreMark/MHz。
§ 内存保护单元的增设：增加与了ARM Cortex-M3、M4高端MCU上相同的功能。
§ 可选的Micro Trace Buffer增设：微跟踪缓冲区MTB的增设增强了调试功能。